Nové 4-pinové SiC MOSFETy od spoločnosti Toshiba majú nižšie straty pri spínaní
Prvé nové komponenty v rade SiC MOSFETov spoločnosti Toshiba, ktoré používajú 4-pinové púzdro TO-247-4L(X), pozostávajú z celkovo 10tich nových komponentov, 5 s napätím 650 V a 5 s napätím 1200 V. Na minimalizáciu spínacích strát ich 4-pinové púzdro TO-247-4L(X) umožňuje kelvinovské pripojenie svoriek zdroja signálu pre ovládanie hradla.
Štvorpinové púzdro zároveň znižuje vplyv indukčnosti zdrojového vodiča vo vnútri púzdra, čím sa zlepšuje vysokorýchlostný spínací výkon. Straty pri zapínaní sú v prípade nového TW045Z120C približne o 40 % nižšie a straty pri vypínaní sa znížili približne o 34 % v porovnaní so súčasným MOSFETom TW045N120C spoločnosti Toshiba v 3-pinovom púzdre TO-247.
MOSFETy tretej generácie série TWxxxZxxxC sú určené pre priemyselné aplikácie, ako sú nabíjacie stanice pre elektrické vozidlá, fotovoltaické meniče, neprerušiteľné zdroje napájania a spínané zdroje napájania. Kľúčové špecifikácie zahŕňajú:
Medzi 4-pólové SiC MOSFETy, ktoré sa teraz dodávajú vo veľkých množstvách, patria TW015Z120C, TW030Z120C, TW045Z120C, TW060Z120C, TW140Z120C, TW015Z65C, TW027Z65C, TW048Z65C, TW083Z65C a TW107Z65C. Ak sa chcete dozvedieť viac o výhodách 4-pinového puzdra TO-247-4L(X), kliknite sem.
Viac informácií: Ak sa vám v mobilnom zobrazení nezobrazuje datasheet k TW015Z120C, kliknite pre jeho stiahnutie tu alebo sa pozrite v dokumentácii nižšie.
Toto je forma obsahu, ktorá umožňuje priemyselným partnerom zdieľať s čitateľmi stránok ElektroLab užitočné novinky, správy a technológie spôsobom, na ktorý sa redakčný obsah nehodí. Výber publikovania nových produktov podlieha prísnym redakčným usmerneniam so zámerom ponúknuť čitateľom užitočné správy a technické poznatky. Názory a stanoviská vyjadrené v tejto kategórii sú názormi partnera a nie nevyhnutne názormi ElektroLab.eu alebo jej autorov.
Komentár môžete adresovať buď diskutujúcemu priamo pomocou tlačidla „Odpovedať“, alebo ho môžete adresovať všeobecne do poľa nižšie.